AS7C316096C-10BIN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS7C316096C-10BIN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS7C316096C-10BIN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS7C316096C-10BIN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS7C316096C-10BIN
- Part Number:
- AS7C316096C-10BIN
- Producent:
- Alliance Memory, Inc.
- Opis:
- IC SRAM 16M PARALLEL 48TFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56965 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS7C316096C-10BIN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 10ns |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | SRAM - Asynchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-TFBGA (6x8) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 48-LFBGA |
| Inne nazwy: | 1450-1134 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 16Mb (2M x 8) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Asynchronous Memory IC 16Mb (2M x 8) Parallel 10ns 48-TFBGA (6x8) |
| Czas dostępu: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS7C316096C-10BIN
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen