AS7C31025C-10TIN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS7C31025C-10TIN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS7C31025C-10TIN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS7C31025C-10TIN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS7C31025C-10TIN
- Part Number:
- AS7C31025C-10TIN
- Producent:
- Alliance Memory, Inc.
- Opis:
- IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25421 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS7C31025C-10TIN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 32-TSOP |
| standardy: | Volatile |
| Oprogramowanie: | 1Mb (128K x 8) |
| Shell Style: | 3 V ~ 3.6 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tube |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 10ns |
| Polaryzacja: | 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) |
| Izolacja wyjście: | SRAM |
| Inne nazwy: | 1450-1213-5 AS7C31025C-10TIN-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Numer części producenta: | AS7C31025C-10TIN |
| Berło: | Parallel |
| Opis: | IC SRAM 1MBIT 10NS 32TSOP |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS7C31025C-10TIN
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia