AS6C3216-55BIN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS6C3216-55BIN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS6C3216-55BIN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS6C3216-55BIN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS6C3216-55BIN
- Part Number:
- AS6C3216-55BIN
- Producent:
- Alliance Memory, Inc.
- Opis:
- IC SRAM 32M PARALLEL 48TFBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44886 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS6C3216-55BIN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 55ns |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | SRAM - Asynchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 48-TFBGA (8x10) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 48-LFBGA |
| Inne nazwy: | 1450-1176 AS6C3216-55BIN-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 32Mb (2M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Asynchronous Memory IC 32Mb (2M x 16) Parallel 55ns 48-TFBGA (8x10) |
| Czas dostępu: | 55ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS6C3216-55BIN
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego