AS4C8M16SA-6TINTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AS4C8M16SA-6TINTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AS4C8M16SA-6TINTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AS4C8M16SA-6TINTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AS4C8M16SA-6TINTR
- Part Number:
- AS4C8M16SA-6TINTR
- Producent:
- Alliance Memory, Inc.
- Opis:
- IC DRAM 128M PARALLEL 54TSOP
- Wielkość zbiorów:
- 55841 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AS4C8M16SA-6TINTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 12ns |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Technologia: | SDRAM |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 54-TSOP II |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 128Mb (8M x 16) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | DRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| szczegółowy opis: | SDRAM Memory IC 128Mb (8M x 16) Parallel 166MHz 5ns 54-TSOP II |
| Częstotliwość zegara: | 166MHz |
| Czas dostępu: | 5ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AS4C8M16SA-6TINTR
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS