AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2
- Part Number:
- AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- 2 MP 1/3 CIS
- Wielkość zbiorów:
- 27408 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.7 V ~ 1.95 V, 2.5 V ~ 3.1 V |
| Rodzaj: | CMOS |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 80-IBGA (10x10) |
| Seria: | - |
| Rozmiar piksela: | 3µm x 3µm |
| Package / Case: | 80-BGA |
| Inne nazwy: | AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2OS |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 85°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 2A (4 Weeks) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 17 Weeks |
| Klatki na sekundę: | 60 |
| szczegółowy opis: | CMOS Image Sensor 1928H x 1088V 3µm x 3µm 80-IBGA (10x10) |
| Aktywny Pixel Array: | 1928H x 1088V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AR0230CSSC00SUEA0-DPBR2
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego