AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1
- Part Number:
- AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IMAGE SENSOR 1.0MP 1/4 CIS
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 44115 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | - |
| Rodzaj: | CMOS |
| Seria: | - |
| Rozmiar piksela: | 3µm x 3µm |
| temperatura robocza: | - |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Klatki na sekundę: | 60 |
| szczegółowy opis: | CMOS Image Sensor 1280H x 800V 3µm x 3µm |
| Aktywny Pixel Array: | 1280H x 800V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AR0140AT3C00XUEA0-DRBR1
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU