AR0135AT2M25XUEA0-TRBR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AR0135AT2M25XUEA0-TRBR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AR0135AT2M25XUEA0-TRBR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AR0135AT2M25XUEA0-TRBR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AR0135AT2M25XUEA0-TRBR
- Part Number:
- AR0135AT2M25XUEA0-TRBR
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IMAGE SENSOR 1MP 1/3 CIS SO
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 55875 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AR0135AT2M25XUEA0-TRBR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | CMOS |
| Seria: | - |
| Rozmiar piksela: | 3.75µm x 3.75µm |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 19 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | CMOS Image Sensor 1280H x 960V 3.75µm x 3.75µm |
| Aktywny Pixel Array: | 1280H x 960V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AR0135AT2M25XUEA0-TRBR
Latest Aktualności
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED