APT100GT120JRDQ4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla APT100GT120JRDQ4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla APT100GT120JRDQ4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup APT100GT120JRDQ4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
APT100GT120JRDQ4
- Part Number:
- APT100GT120JRDQ4
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- IGBT 1200V 123A 570W SOT227
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 50556 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.APT100GT120JRDQ4.pdf2.APT100GT120JRDQ4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 1200V |
| Vce (on) (Max) @ VGE, IC: | 3.7V @ 15V, 100A |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | ISOTOP® |
| Seria: | Thunderbolt IGBT® |
| Moc - Max: | 570W |
| Package / Case: | ISOTOP |
| Inne nazwy: | APT100GT120JRDQ4MI APT100GT120JRDQ4MI-ND |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Termistor NTC: | No |
| Rodzaj mocowania: | Chassis Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 32 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Cies) @ Vce: | 7.85nF @ 25V |
| Wkład: | Standard |
| Rodzaj IGBT: | NPT |
| szczegółowy opis: | IGBT Module NPT Single 1200V 123A 570W Chassis Mount ISOTOP® |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 200µA |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 123A |
| Konfiguracja: | Single |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do APT100GT120JRDQ4
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash