AP2318DN-ADJTRG1 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AP2318DN-ADJTRG1, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AP2318DN-ADJTRG1 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AP2318DN-ADJTRG1 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AP2318DN-ADJTRG1
- Part Number:
- AP2318DN-ADJTRG1
- Producent:
- Diodes Incorporated
- Opis:
- IC REG LINEAR POS ADJ 600MA 8DFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 36429 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AP2318DN-ADJTRG1.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Spadek napięcia (Max): | 0.35V @ 600mA (Typ) |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 0.8V |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 11.65V |
| Napięcie - wejściowa (maks): | 12V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-DFN (3x3) |
| Seria: | - |
| Funkcje ochronne: | Over Current, Over Temperature, Over Voltage |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 8-WDFN Exposed Pad |
| PSRR: | - |
| Typ wyjścia: | Adjustable |
| Konfiguracja wyjściowa: | Positive |
| Inne nazwy: | AP2318DN-ADJTRG1DICT |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Ilość Regulatorów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 22 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Linear Voltage Regulator IC Positive Adjustable 1 Output Adj to 0.8V 600mA 8-DFN (3x3) |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 250µA |
| Obecny - Wyjście: | 600mA |
| Funkcje sterowania: | Enable |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AP2318DN-ADJTRG1
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash