AP1017AEN jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AP1017AEN, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AP1017AEN przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AP1017AEN z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AP1017AEN
- Part Number:
- AP1017AEN
- Opis:
- IC H-BRIDGE DVR 1CH 12V 8SON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57172 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AP1017AEN.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Napięcie - Obciążenie: | 1.8 V ~ 12 V |
| Technologia: | Power MOSFET |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SON (2x2) |
| Seria: | - |
| Rds On (Typ): | 470 mOhm LS + HS |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-UFDFN Exposed Pad |
| Konfiguracja wyjściowa: | Half Bridge (2) |
| Inne nazwy: | AP1017AEN-L AP1017AEN-ND AP1017AENTR |
| temperatura robocza: | -30°C ~ 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 14 Weeks |
| Typ obciążenia: | Inductive |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | Logic |
| cechy: | - |
| Ochrona usterek: | Over Temperature, UVLO |
| szczegółowy opis: | Half Bridge (2) Driver General Purpose Power MOSFET 8-SON (2x2) |
| Obecny - Szczytowa wydajność: | 3.3A |
| Obecny - Wyjście / Channel: | 1.56A |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AP1017AEN
Latest Aktualności
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego