ALS31300EEJASR-JOY jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ALS31300EEJASR-JOY, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ALS31300EEJASR-JOY przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ALS31300EEJASR-JOY z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ALS31300EEJASR-JOY
- Part Number:
- ALS31300EEJASR-JOY
- Producent:
- Allegro MicroSystems, LLC.
- Opis:
- 3-AXIS LINEAR HALL W/I2C OUTPUT
- Wielkość zbiorów:
- 24924 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ALS31300EEJASR-JOY.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.65 V ~ 3.5 V |
| Technologia: | Hall Effect |
| Seria: | - |
| Zakres pomiarowy: | - |
| Rozkład: | 12 b |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 10-WFDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | I²C |
| Inne nazwy: | 620-1994-2 ALS31300EEJASR-JOY-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Hall Effect Sensor X, Y, Z Axis |
| Obecny - Dostawa (Max): | 6.7mA |
| Obecny - Wyjście (Max): | - |
| Pasmo: | - |
| Oś: | X, Y, Z |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ALS31300EEJASR-JOY
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM