ALD110808PCL jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ALD110808PCL, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ALD110808PCL przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ALD110808PCL z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ALD110808PCL
- Part Number:
- ALD110808PCL
- Producent:
- Advanced Linear Devices, Inc.
- Opis:
- MOSFET 4N-CH 10.6V 16DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 23261 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ALD110808PCL.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 820mV @ 1µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-PDIP |
| Seria: | EPAD® |
| RDS (Max) @ ID, Vgs: | 500 Ohm @ 4.8V |
| Moc - Max: | 500mW |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Inne nazwy: | 1014-1026 |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 2.5pF @ 5V |
| Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs: | - |
| Rodzaj FET: | 4 N-Channel, Matched Pair |
| Cecha FET: | Standard |
| Spust do źródła napięcia (Vdss): | 10.6V |
| szczegółowy opis: | Mosfet Array 4 N-Channel, Matched Pair 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 16-PDIP |
| Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C: | 12mA, 3mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ALD110808PCL
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS