ALA8DC471DD400 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ALA8DC471DD400, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ALA8DC471DD400 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ALA8DC471DD400 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ALA8DC471DD400
- Part Number:
- ALA8DC471DD400
- Producent:
- KEMET
- Opis:
- ALU SNAP IN 470UF 400V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 26708 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ALA8DC471DD400.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 400V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 1.181" Dia (30.00mm) |
| Seria: | ALA8D |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 2.42A @ 100Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 6.52A @ 10kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Package / Case: | Radial, Can - Snap-In |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Impedancja: | 186.4 mOhms |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 1.969" (50.00mm) |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 327 mOhm @ 100Hz |
| szczegółowy opis: | 470µF 400V Aluminum Electrolytic Capacitors Radial, Can - Snap-In 327 mOhm @ 100Hz |
| Pojemność: | 470µF |
| Aplikacje: | Automotive |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ALA8DC471DD400
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia