AFE7222IRGCT jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AFE7222IRGCT, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AFE7222IRGCT przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AFE7222IRGCT z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AFE7222IRGCT
- Part Number:
- AFE7222IRGCT
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC AFE 12BIT 65/130MSPS 64VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 47323 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AFE7222IRGCT.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa Digital: | 1.7 V ~ 1.9 V |
| Napięcie - Dostawa, analogowe: | 2.85 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 64-VQFN (9x9) |
| Seria: | - |
| Moc (W): | 610mW |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | 64-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 296-30113-1 |
| Liczba kanałów: | 4 |
| Liczba bitów: | 12 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 4 Channel AFE 12 Bit 610mW 64-VQFN (9x9) |
| Podstawowy numer części: | AFE7222 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AFE7222IRGCT
Latest Aktualności
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?
- Nand pamięć flash trwa, MCU Destock Bottom jest w porządku