ADSC583WCBCZ4A10 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ADSC583WCBCZ4A10, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ADSC583WCBCZ4A10 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ADSC583WCBCZ4A10 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ADSC583WCBCZ4A10
- Part Number:
- ADSC583WCBCZ4A10
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- ARM 2X3MB SHARC SINGLEDDR LPC PK
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 37042 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ADSC583WCBCZ4A10.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - I / O: | 3.30V |
| Napięcie - Rdzeń: | 1.10V |
| Rodzaj: | Floating Point |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 349-CSPBGA (19x19) |
| Seria: | Automotive |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 349-LFBGA, CSPBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C (TA) |
| On-Chip RAM: | 384kB |
| Pamięć nieulotna: | ROM (512 kB) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | CAN, EBI/EMI, Ethernet, DAI, I²C, MMC/SD/SDIO, SPI, SPORT, UART/USART, USB OTG |
| Częstotliwość zegara: | 450MHz |
| Podstawowy numer części: | ADSC583 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ADSC583WCBCZ4A10
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia