ADR434TRZ-EP jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ADR434TRZ-EP, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ADR434TRZ-EP przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ADR434TRZ-EP z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ADR434TRZ-EP
- Part Number:
- ADR434TRZ-EP
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC VREF SERIES 4.096V 8SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34129 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ADR434TRZ-EP.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Min / Fixed): | 4.096V |
| Napięcie - Wejście: | 6.1 V ~ 18 V |
| Tolerancja: | ±0.04% |
| Współczynnik temperaturowy: | 3ppm/°C |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-SOIC |
| Seria: | XFET® |
| Typ referencyjny: | Series |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Typ wyjścia: | Fixed |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Hałas - od 10 Hz do 10 kHz: | - |
| Hałas - od 0,1 Hz do 10 Hz: | 6.25µVp-p |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Series Voltage Reference IC ±0.04% 10mA 8-SOIC |
| Obecny - Dostawa: | 800µA |
| Obecny - Wyjście: | 10mA |
| Podstawowy numer części: | ADR434 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ADR434TRZ-EP
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia