ADC1210S080HN/C1:5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ADC1210S080HN/C1:5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ADC1210S080HN/C1:5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ADC1210S080HN/C1:5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ADC1210S080HN/C1:5
- Part Number:
- ADC1210S080HN/C1:5
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- ADC 12BIT SPI 80MSPS 40HVQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 38210 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ADC1210S080HN/C1:5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa Digital: | 2.85 V ~ 3.4 V |
| Napięcie - Dostawa, analogowe: | 2.85 V ~ 3.4 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 40-HVQFN (6x6) |
| Seria: | - |
| Sampling rate (Per Second): | 80M |
| Typ referencyjny: | External, Internal |
| Stosunek - S / H: ADC: | 1:1 |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 40-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 568-5645 935289038551 ADC1210S080HN,551 ADC1210S080HN,551-ND ADC1210S080HN/C1:5-ND ADC1210S080HNC15 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba wejść: | 1 |
| Liczba bitów: | 12 |
| Liczba przetworników A / D: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | Differential, Single Ended |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | 12 Bit Analog to Digital Converter 1 Input 1 Pipelined 40-HVQFN (6x6) |
| Data Interface: | LVDS - Parallel, Parallel |
| Konfiguracja: | S/H-ADC |
| Podstawowy numer części: | ADC1210S |
| Architektura: | Pipelined |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ADC1210S080HN/C1:5
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił