AD5228BUJZ10-RL7 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla AD5228BUJZ10-RL7, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla AD5228BUJZ10-RL7 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup AD5228BUJZ10-RL7 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
AD5228BUJZ10-RL7
- Part Number:
- AD5228BUJZ10-RL7
- Producent:
- ADI (Analog Devices, Inc.)
- Opis:
- IC DGTL POT UP/DN 10K TSOT23-8
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33844 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- AD5228BUJZ10-RL7.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 5.5 V |
| Tolerancja: | ±20% |
| Współczynnik temperaturowy (Typ): | 35 ppm/°C |
| Stożek: | Linear |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | TSOT-23-8 |
| Seria: | - |
| Odporność - Wiper (Ohms) (Typ): | 100 |
| Oporność (Ohm): | 10k |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 |
| Inne nazwy: | AD5228BUJZ10RL7 AD5228BUJZ10RL7TR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 105°C |
| Liczba kranów: | 32 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 7 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | Pushbutton |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Potentiometer 10k Ohm 1 Circuit 32 Taps Pushbutton Interface TSOT-23-8 |
| Konfiguracja: | Potentiometer |
| Podstawowy numer części: | AD5228 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do AD5228BUJZ10-RL7
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash