ACS725LMATR-30AB-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla ACS725LMATR-30AB-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla ACS725LMATR-30AB-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup ACS725LMATR-30AB-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
ACS725LMATR-30AB-T
- Part Number:
- ACS725LMATR-30AB-T
- Producent:
- Allegro MicroSystems, LLC.
- Opis:
- CURRENT SENSOR W/COMMON-MODE FIE
- Wielkość zbiorów:
- 46127 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- ACS725LMATR-30AB-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 3.6 V |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Typ czujnika: | Hall Effect, Differential |
| Wrażliwość: | - |
| Czas odpowiedzi: | 4µs |
| Polaryzacja: | Bidirectional |
| Package / Case: | - |
| Wydajność: | Ratiometric, Voltage |
| temperatura robocza: | -20°C ~ 85°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | - |
| Liniowość: | ±1.5% |
| Częstotliwość: | DC ~ 120kHz |
| Do pomiaru: | AC/DC |
| szczegółowy opis: | Current Sensor 30A 1 Channel Hall Effect, Differential Bidirectional |
| Obecny - Dostawa (Max): | 14mA |
| Obecny - Sensing: | 30A |
| Precyzja: | ±0.9% |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do ACS725LMATR-30AB-T
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia