A3P250-2VQ100 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla A3P250-2VQ100, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla A3P250-2VQ100 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup A3P250-2VQ100 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
A3P250-2VQ100
- Part Number:
- A3P250-2VQ100
- Producent:
- Microsemi
- Opis:
- IC FPGA 68 I/O 100VQFP
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 24732 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- A3P250-2VQ100.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.425 V ~ 1.575 V |
| Wszystkich RAM Bity: | 36864 |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 100-VQFP (14x14) |
| Seria: | ProASIC3 |
| Package / Case: | 100-TQFP |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 85°C (TJ) |
| Liczba I / O: | 68 |
| Ilość Gates: | 250000 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Podstawowy numer części: | A3P250 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do A3P250-2VQ100
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen