A1262LK-Y-T jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla A1262LK-Y-T, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla A1262LK-Y-T przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup A1262LK-Y-T z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
A1262LK-Y-T
- Part Number:
- A1262LK-Y-T
- Producent:
- Allegro MicroSystems, LLC.
- Opis:
- 2D HALL EFFECT DUAL LATCH
- Wielkość zbiorów:
- 55681 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- A1262LK-Y-T.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 4 V ~ 24 V |
| Stan testu: | -40°C ~ 85°C |
| Technologia: | Hall Effect |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-SIP |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100 |
| Zakres pomiarowy: | 6mT Trip, 1mT Release |
| Polaryzacja: | South Pole |
| Package / Case: | 4-SSIP |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 150°C (TA) |
| Funkcjonować: | Latch |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | Digital Switch Latch Open Drain Hall Effect 4-SIP |
| Obecny - Dostawa (Max): | 4.5mA |
| Obecny - Wyjście (Max): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do A1262LK-Y-T
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen