8T49N283C-998NLGI8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 8T49N283C-998NLGI8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 8T49N283C-998NLGI8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 8T49N283C-998NLGI8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
8T49N283C-998NLGI8
- Part Number:
- 8T49N283C-998NLGI8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC TRANSLATOR UNIV FREQ 56VFQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56953 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.8T49N283C-998NLGI8.pdf2.8T49N283C-998NLGI8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.375 V ~ 3.465 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 56-VFQFN (8x8) |
| Seria: | FemtoClock® NG |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 1:8 |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 56-VFQFN Exposed Pad |
| PLL: | Yes with Bypass |
| Wydajność: | LVCMOS, LVPECL |
| Inne nazwy: | 8T49N283B-998NLGI8 8T49N283B-998NLGI8-ND IDT8T49N283B-998NLGI8 IDT8T49N283B-998NLGI8-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Crystal |
| Częstotliwość - Max: | 1GHz |
| Przegroda / Mnożnik: | Yes/No |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/Yes |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 8T49N283C-998NLGI8
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił