7UL1G08FS,LF jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 7UL1G08FS,LF, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 7UL1G08FS,LF przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 7UL1G08FS,LF z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
7UL1G08FS,LF
- Part Number:
- 7UL1G08FS,LF
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- L-MOS LVP SERIES SINGLE 2-INPUT
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31217 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 7UL1G08FS,LF.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.9 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | fSV |
| Seria: | 7UL |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SOT-953 |
| Inne nazwy: | 7UL1G08FS,LF(B 7UL1G08FSLFTR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4.4ns @ 3.6V, 30pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 12 Weeks |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.1 V ~ 0.4 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 0.75 V ~ 2.48 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 1 Channel fSV |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 1µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 7UL1G08FS,LF
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen