74V1G126CTR jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74V1G126CTR, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74V1G126CTR przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74V1G126CTR z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74V1G126CTR
- Part Number:
- 74V1G126CTR
- Producent:
- STMicroelectronics
- Opis:
- IC BUFF NON-INVERT 5.5V SOT323-5
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58345 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74V1G126CTR.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-323-5 |
| Seria: | 74V |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353 |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element 3-State Output SOT-323-5 |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 8mA, 8mA |
| Podstawowy numer części: | 74V1G126 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74V1G126CTR
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia