74SSTVF16859G4RG4 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74SSTVF16859G4RG4, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74SSTVF16859G4RG4 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74SSTVF16859G4RG4 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74SSTVF16859G4RG4
- Part Number:
- 74SSTVF16859G4RG4
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC REG BUFFER 13-26BIT 56-VQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21973 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74SSTVF16859G4RG4.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Źródło napięcia: | 2.3 V ~ 2.7 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 56-VQFN (8x8) |
| Seria: | 74SSTVF |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 56-VFQFN Exposed Pad |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C |
| Liczba bitów: | 13, 26 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Logic Type: | Registered Buffer with SSTL_2 Compatible I/O for DDR |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | Registered Buffer with SSTL_2 Compatible I/O for DDR IC 56-VQFN (8x8) |
| Podstawowy numer części: | 74SSTVF16859 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74SSTVF16859G4RG4
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM