74LVT2240WM jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVT2240WM, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVT2240WM przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVT2240WM z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVT2240WM
- Part Number:
- 74LVT2240WM
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- IC BUFFER INVERT 3.6V 20SOIC
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22562 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVT2240WM.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.7 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 20-SOIC |
| Seria: | 74LVT |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
| Typ wyjścia: | 3-State |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Buffer, Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Inverting 2 Element 4 Bit per Element 3-State Output 20-SOIC |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 12mA, 12mA |
| Podstawowy numer części: | 74LVT2240 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVT2240WM
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS