74LVC2G08DP,125 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVC2G08DP,125, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVC2G08DP,125 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVC2G08DP,125 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVC2G08DP,125
- Part Number:
- 74LVC2G08DP,125
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC GATE AND 2CH 2-INP 8TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 22249 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVC2G08DP,125.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-TSSOP |
| Seria: | 74LVC |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
| Inne nazwy: | 1727-5987-2 568-7674-2 568-7674-2-ND 74LVC2G08DP,125-ND 74LVC2G08DP-G 74LVC2G08DP-G-ND 74LVC2G08DP125 935273582125 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 3.8ns @ 5V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 0.95 V ~ 3.4 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 2 Channel 8-TSSOP |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 4µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Podstawowy numer części: | 74LVC2G08 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVC2G08DP,125
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash