74LVC1G80GX,125 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVC1G80GX,125, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVC1G80GX,125 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVC1G80GX,125 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVC1G80GX,125
- Part Number:
- 74LVC1G80GX,125
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 5X2SON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 27862 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVC1G80GX,125.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74LVC |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 4-XFDFN Exposed Pad |
| Typ wyjścia: | Inverted |
| Inne nazwy: | 935298384125 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4.5ns @ 5V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 5pF |
| Funkcjonować: | Standard |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 200µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Częstotliwość zegara: | 400MHz |
| Podstawowy numer części: | 74LVC1G80 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVC1G80GX,125
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen