74LVC1G10GW-Q100H jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LVC1G10GW-Q100H, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LVC1G10GW-Q100H przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LVC1G10GW-Q100H z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LVC1G10GW-Q100H
- Part Number:
- 74LVC1G10GW-Q100H
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- 74LVC1G10GW-Q100/SOT363/SC-88
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 21711 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LVC1G10GW-Q100H.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1.65 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | SOT-363 |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100, 74LVC |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Inne nazwy: | 1727-8031-2 74LVC1G10GW-Q100H-ND 935309202125 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Liczba wejść: | 3 |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4.4ns @ 5V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.7 V ~ 0.8 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 0.95 V ~ 3.4 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 1 Channel SOT-363 |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 4µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 32mA, 32mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LVC1G10GW-Q100H
Latest Aktualności
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU