74LV132BQ-Q100X jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74LV132BQ-Q100X, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74LV132BQ-Q100X przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74LV132BQ-Q100X z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74LV132BQ-Q100X
- Part Number:
- 74LV132BQ-Q100X
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC GATE NAND SCHMIT 4CH 14DHVQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 39200 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74LV132BQ-Q100X.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 1 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 14-DHVQFN (2.5x3) |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100, 74LV |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 14-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 935301033115 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 4 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 9ns @ 5V, 50pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Logic Type: | NAND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.3 V ~ 1.2 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.4 V ~ 3.9 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | Schmitt Trigger |
| szczegółowy opis: | NAND Gate IC 4 Channel Schmitt Trigger 14-DHVQFN (2.5x3) |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 20µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 12mA, 12mA |
| Podstawowy numer części: | 74LV132 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74LV132BQ-Q100X
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia