74HCT4852BQ,115 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74HCT4852BQ,115, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74HCT4852BQ,115 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74HCT4852BQ,115 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74HCT4852BQ,115
- Part Number:
- 74HCT4852BQ,115
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC MUX 4:1 195 OHM 16DHVQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 49185 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74HCT4852BQ,115.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - zasilanie, pojedyncze (V +): | 4.5 V ~ 5.5 V |
| Napięcie - Zasilanie, Podwójne (V ±): | - |
| Czas przełączania (Ton, Toff) (maks.): | 25ns, 80ns |
| Przełącznik: | SP4T |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 16-VFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-4553-2 568-5454-2 568-5454-2-ND 74HCT4852BQ115 935285735115 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Oporność na terenie (maks.): | 210 Ohm |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Obwód multipleksera / demultipleksera: | 4:1 |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| szczegółowy opis: | 2 Circuit IC Switch 4:1 210 Ohm 16-DHVQFN (2.5x3.5) |
| Prąd - wyciek (IS (wyłączony)) (maks.): | 100nA |
| Przesłuchy: | - |
| Wtrysk ładowania: | - |
| Dopasowanie kanału do kanału (ΔRon): | 2 Ohm |
| Kanał (Capacitance) (CS (wyłączone), CD (wyłączone)): | 10pF |
| Podstawowy numer części: | 74HCT4852 |
| 3dB Pasmo: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74HCT4852BQ,115
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia