74HC4046AN,652 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74HC4046AN,652, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74HC4046AN,652 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74HC4046AN,652 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74HC4046AN,652
- Part Number:
- 74HC4046AN,652
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC PHASE LOCK LOOP W/VCO 16-DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57495 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74HC4046AN,652.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 3 V ~ 6 V |
| Rodzaj: | Phase Lock Loop (PLL) |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 16-DIP |
| Seria: | 74HC |
| Ratio - Wejście: Wyjście: | 2:3 |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 16-DIP (0.300", 7.62mm) |
| PLL: | Yes |
| Wydajność: | Clock |
| Inne nazwy: | 568-7813-5 74HC4046AN 74HC4046AN,652-ND 74HC4046AN-ND 933809540652 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba obwodów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wkład: | Clock |
| Częstotliwość - Max: | 21MHz |
| Przegroda / Mnożnik: | No/No |
| Różnica - Wejście: Wyjście: | No/No |
| Podstawowy numer części: | 74HC4046 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74HC4046AN,652
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia