74AUP2G08GM,125 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74AUP2G08GM,125, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74AUP2G08GM,125 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74AUP2G08GM,125 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74AUP2G08GM,125
- Part Number:
- 74AUP2G08GM,125
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC GATE AND 2CH 2-INP 8XQFN
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 54379 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74AUP2G08GM,125.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 8-XQFN (1.6x1.6) |
| Seria: | 74AUP |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 8-XFQFN Exposed Pad |
| Inne nazwy: | 1727-6870-2 568-9191-2 568-9191-2-ND 74AUP2G08GM,125-ND 74AUP2G08GM-G 74AUP2G08GM-G-ND 74AUP2G08GM125 935281425125 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Liczba wejść: | 2 |
| Liczba obwodów: | 2 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 6.2ns @ 3.3V, 30pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Logic Type: | AND Gate |
| Poziom Logic - Niska: | 0.7 V ~ 0.9 V |
| Poziom Logic - Wysoka: | 1.6 V ~ 2 V |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| cechy: | - |
| szczegółowy opis: | AND Gate IC 2 Channel 8-XQFN (1.6x1.6) |
| Obecny - spoczynkowy (Max): | 500nA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 4mA, 4mA |
| Podstawowy numer części: | 74AUP2G08 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74AUP2G08GM,125
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia