74AUP1G80GM,132 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74AUP1G80GM,132, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74AUP1G80GM,132 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74AUP1G80GM,132 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74AUP1G80GM,132
- Part Number:
- 74AUP1G80GM,132
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 29095 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74AUP1G80GM,132.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 0.8 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74AUP |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 6-XFDFN |
| Typ wyjścia: | Inverted |
| Inne nazwy: | 74AUP1G80GM-H 74AUP1G80GM-H-ND 935279051132 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 6.4ns @ 3.3V, 30pF |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 13 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 1.5pF |
| Funkcjonować: | Standard |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 500nA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 4mA, 4mA |
| Częstotliwość zegara: | 309MHz |
| Podstawowy numer części: | 74AUP1G80 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74AUP1G80GM,132
Latest Aktualności
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS
- Duża fabryka chipów wpłynęła trzęsienie ziemi: TSMC przestało działać pilnie, zaostrzając zasilanie GPU w krótkim dostawie?