74ALVCH16821DGG:11 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74ALVCH16821DGG:11, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74ALVCH16821DGG:11 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74ALVCH16821DGG:11 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74ALVCH16821DGG:11
- Part Number:
- 74ALVCH16821DGG:11
- Producent:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Opis:
- IC FF D-TYPE DUAL 10BIT 56TSSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 31014 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74ALVCH16821DGG:11.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2.3 V ~ 2.7 V, 3 V ~ 3.6 V |
| Rodzaj: | D-Type |
| Typ wyzwalania: | Positive Edge |
| Seria: | 74ALVCH |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 56-TFSOP (0.240", 6.10mm Width) |
| Typ wyjścia: | Tri-State, Non-Inverted |
| Inne nazwy: | 74ALVCH16821DG 74ALVCH16821DG-ND 935259010112 |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Ilość elementów: | 2 |
| Ilość bitów na element: | 10 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Max Opóźnienie propagacji @ V Max CL: | 4.5ns @ 3.3V, 50pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa: | 5pF |
| Funkcjonować: | Standard |
| Current - Spoczynkowy (Iq): | 40µA |
| High Output, Niska - Bieżąca: | 24mA, 24mA |
| Częstotliwość zegara: | 350MHz |
| Podstawowy numer części: | 74ALVCH16821 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74ALVCH16821DGG:11
Latest Aktualności
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash