74AHC1G07GV-Q100H jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 74AHC1G07GV-Q100H, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 74AHC1G07GV-Q100H przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 74AHC1G07GV-Q100H z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
74AHC1G07GV-Q100H
- Part Number:
- 74AHC1G07GV-Q100H
- Producent:
- Nexperia
- Opis:
- IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 5TSOP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 28777 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 74AHC1G07GV-Q100H.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 2 V ~ 5.5 V |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 5-TSOP |
| Seria: | Automotive, AEC-Q100, 74AHC |
| Opakowania: | Cut Tape (CT) |
| Package / Case: | SC-74A, SOT-753 |
| Typ wyjścia: | Open Drain |
| Inne nazwy: | 1727-2453-1 568-12752-1 568-12752-1-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Ilość elementów: | 1 |
| Ilość bitów na element: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Logic Type: | Buffer, Non-Inverting |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| szczegółowy opis: | Buffer, Non-Inverting 1 Element 1 Bit per Element Open Drain Output 5-TSOP |
| High Output, Niska - Bieżąca: | -, 8mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 74AHC1G07GV-Q100H
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia