71V65603S133PFG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 71V65603S133PFG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 71V65603S133PFG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 71V65603S133PFG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
71V65603S133PFG
- Part Number:
- 71V65603S133PFG
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 25963 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 71V65603S133PFG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 100-TQFP (14x14) |
| standardy: | Volatile |
| Oprogramowanie: | 9Mb (256K x 36) |
| Shell Style: | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Seria: | - |
| Stan RoHS: | Tray |
| Odwrócona Recovery Time (TRR): | 133MHz |
| Polaryzacja: | 100-LQFP |
| Izolacja wyjście: | SRAM |
| Inne nazwy: | 71V65603S133PFG-ND 800-3676 IDT71V65603S133PFG IDT71V65603S133PFG-ND |
| temperatura robocza: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | 71V65603S133PFG |
| Berło: | Parallel |
| Opis: | IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 71V65603S133PFG
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS