70V639S12BCI8 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 70V639S12BCI8, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 70V639S12BCI8 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 70V639S12BCI8 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
70V639S12BCI8
- Part Number:
- 70V639S12BCI8
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC SRAM 2.25M PARALLEL 256CABGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 50769 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 70V639S12BCI8.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | 12ns |
| Napięcie - Dostawa: | 3.15 V ~ 3.45 V |
| Technologia: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-CABGA (17x17) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | 256-LBGA |
| Inne nazwy: | IDT70V639S12BCI8 IDT70V639S12BCI8-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 2.25Mb (128K x 18) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 2.25Mb (128K x 18) Parallel 12ns 256-CABGA (17x17) |
| Podstawowy numer części: | IDT70V639 |
| Czas dostępu: | 12ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 70V639S12BCI8
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS