70T3339S133BCI jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 70T3339S133BCI, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 70T3339S133BCI przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 70T3339S133BCI z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
70T3339S133BCI
- Part Number:
- 70T3339S133BCI
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- IC SRAM 9M PARALLEL 256CABGA
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 27952 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 70T3339S133BCI.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Zapisać czas cyklu - słowo, strona: | - |
| Napięcie - Dostawa: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Technologia: | SRAM - Dual Port, Synchronous |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 256-CABGA (17x17) |
| Seria: | - |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 256-LBGA |
| Inne nazwy: | IDT70T3339S133BCI IDT70T3339S133BCI-ND |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Typ pamięci: | Volatile |
| Rozmiar pamięci: | 9Mb (512K x 18) |
| Interfejs pamięci: | Parallel |
| Format pamięci: | SRAM |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 10 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| szczegółowy opis: | SRAM - Dual Port, Synchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 133MHz 4.2ns 256-CABGA (17x17) |
| Częstotliwość zegara: | 133MHz |
| Podstawowy numer części: | IDT70T3339 |
| Czas dostępu: | 4.2ns |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 70T3339S133BCI
Latest Aktualności
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił