66AK2H12BAAWA24 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 66AK2H12BAAWA24, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 66AK2H12BAAWA24 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 66AK2H12BAAWA24 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
66AK2H12BAAWA24
- Part Number:
- 66AK2H12BAAWA24
- Producent:
- TI
- Opis:
- IC DSP ARM SOC 1517FCBGA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58527 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 66AK2H12BAAWA24.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - I / O: | 0.85V, 1.0V, 1.35V, 1.5V, 1.8V, 3.3V |
| Napięcie - Rdzeń: | Variable |
| Rodzaj: | DSP+ARM® |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 1517-FCBGA (40x40) |
| Seria: | 66AK2Hx KeyStone Multicore |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | 1517-BBGA, FCBGA |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 100°C (TC) |
| On-Chip RAM: | 12.75MB |
| Pamięć nieulotna: | ROM (384 kB) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 4 (72 Hours) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Berło: | EBI/EMI, Ethernet, DMA, I²C, Serial RapidIO, SPI, UART/USART, USB 3.0 |
| Częstotliwość zegara: | 1.2GHz DSP, 1.4GHz ARM® |
| Podstawowy numer części: | 66AK2H12 |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 66AK2H12BAAWA24
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen