600D126F075KD5 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 600D126F075KD5, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 600D126F075KD5 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 600D126F075KD5 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
600D126F075KD5
- Part Number:
- 600D126F075KD5
- Producent:
- Electro-Films (EFI) / Vishay
- Opis:
- CAP ALUM 12UF 75V AXIAL
- Status bezołowiowy:
- Zawiera ołów / RoHS niezgodny
- Wielkość zbiorów:
- 25272 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 600D126F075KD5.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - znamionowe: | 75V |
| Tolerancja: | -10%, +50% |
| Montaż powierzchniowy Powierzchnia gruntu: | - |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.281" Dia x 0.937" L (7.14mm x 23.80mm) |
| Seria: | 600D |
| Ripple Current @ Low Frequency: | 48mA @ 120Hz |
| Ripple Current @ High Frequency: | 67.2mA @ 1kHz |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Polar |
| Opakowania: | Tray |
| Package / Case: | Axial, Can |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 49 Weeks |
| Żywotność @ Temp.: | - |
| Główny odstęp: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 12.3 Ohm @ 120Hz |
| szczegółowy opis: | 12µF 75V Aluminum Electrolytic Capacitors Axial, Can 12.3 Ohm @ 120Hz |
| Pojemność: | 12µF |
| Aplikacje: | General Purpose |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 600D126F075KD5
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia