500 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 500, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 500 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 500 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie @ Pmpp: | 6V |
| Napięcie - otwarty obieg: | 7V |
| Rodzaj: | Monocrystalline |
| Seria: | - |
| Moc (W) - Max: | 3.6W |
| Package / Case: | Cells |
| Inne nazwy: | 1528-1927 |
| temperatura robocza: | - |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 5 Weeks |
| szczegółowy opis: | Monocrystalline Solar Cell 3.6W 7V |
| Obecny @ Pmpp: | 615mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 500
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS