4N35M-V jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 4N35M-V, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 4N35M-V przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 4N35M-V z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
4N35M-V
- Part Number:
- 4N35M-V
- Producent:
- Everlight Electronics
- Opis:
- OPTOISO 5KV TRANS W/BASE 6DIP
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 35079 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 4N35M-V.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Wyjście (Max): | 80V |
| Napięcie - Izolacja: | 5000Vrms |
| Napięcie - Naprzód (Vf) (Typ): | 1.2V |
| Vce Nasycenie (Max): | 300mV |
| Włączanie / Wyłączanie Czasu (Typ): | 10µs, 9µs |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 6-DIP |
| Seria: | - |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| Opakowania: | Tube |
| Package / Case: | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Typ wyjścia: | Transistor with Base |
| temperatura robocza: | -55°C ~ 110°C |
| Liczba kanałów: | 1 |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 20 Weeks |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | DC |
| szczegółowy opis: | Optoisolator Transistor with Base Output 5000Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Obecny współczynnik przenikania (min): | 100% @ 10mA |
| Obecny współczynnik przenikania (Max): | - |
| Obecny - Wyjście / Channel: | - |
| Prąd - przekierowanie DC (jeśli) (maks.): | 60mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 4N35M-V
Latest Aktualności
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen
- Ruisa uruchomiła nowy RA0 Series Ultra -Low Power Entry -LEVE MCU
- Melexis uruchamia pełny zintegrowany układ przełącznika indukcyjnego
- X-FAB wprowadza technologię oświetlenia czujnika obrazu w celu zwiększenia wydajności czujnika CMOS