495-25.78125-2JB4I jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 495-25.78125-2JB4I, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 495-25.78125-2JB4I przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 495-25.78125-2JB4I z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
495-25.78125-2JB4I
- Part Number:
- 495-25.78125-2JB4I
- Producent:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Opis:
- CRYSTAL 25.7810MHZ 10PF SMD
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 33427 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 495-25.78125-2JB4I.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Rodzaj: | MHz Crystal |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm) |
| Seria: | - |
| oceny: | - |
| Opakowania: | Strip |
| Package / Case: | 4-SMD, No Lead |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C |
| Tryb pracy: | Fundamental |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| pojemność obciążenia: | 10pF |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Wysokość - Siedzą (Max): | - |
| częstotliwość Tolerancja: | ±10ppm |
| Stabilność częstotliwości: | ±20ppm |
| Częstotliwość: | 25.781MHz |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | 40 Ohms |
| szczegółowy opis: | 25.781MHz ±10ppm Crystal 10pF 40 Ohms 4-SMD, No Lead |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 495-25.78125-2JB4I
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia