3SK263-5-TG-E jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 3SK263-5-TG-E, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 3SK263-5-TG-E przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 3SK263-5-TG-E z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
3SK263-5-TG-E
- Part Number:
- 3SK263-5-TG-E
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- FET RF 15V 200MHZ CP4
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 34211 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 3SK263-5-TG-E.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Test: | 6V |
| Napięcie - znamionowe: | 15V |
| Typ tranzystora: | N-Channel Dual Gate |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 4-CP |
| Seria: | - |
| Moc - Wyjście: | - |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | TO-253-4, TO-253AA |
| Inne nazwy: | 3SK263-5-TG-E-ND 3SK263-5-TG-EOSTR |
| noise Figure: | 2.2dB |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 21dB |
| Częstotliwość: | 200MHz |
| szczegółowy opis: | RF Mosfet N-Channel Dual Gate 6V 10mA 200MHz 21dB 4-CP |
| Aktualna ocena: | 30mA |
| Obecny - Test: | 10mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 3SK263-5-TG-E
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen