36501E22NJTDG jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 36501E22NJTDG, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 36501E22NJTDG przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 36501E22NJTDG z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
36501E22NJTDG
- Part Number:
- 36501E22NJTDG
- Producent:
- AMP Connectors / TE Connectivity
- Opis:
- FIXED IND 22NH 400MA 300 MOHM
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56576 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.36501E22NJTDG.pdf2.36501E22NJTDG.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Podział: | 0402 (1005 Metric) |
| Stosowanie: | Unshielded |
| Rodzaj: | Wirewound |
| Rozmiar / Wymiar: | 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) |
| Seria: | 3650, Sigma Inductors |
| Stan RoHS: | Digi-Reel® |
| oceny: | - |
| Polaryzacja: | Nonstandard |
| Inne nazwy: | A103708DKR |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 125°C |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 8 Weeks |
| Numer części producenta: | 36501E22NJTDG |
| Wysokość - Siedzą (Max): | 0.015" (0.37mm) |
| typ sprzętu: | 22nH |
| Częstotliwość - Test: | 2.8GHz |
| Częstotliwość - samorezonansowa: | 300 mOhm Max |
| Rozszerzony opis: | 22nH Unshielded Wirewound Inductor 400mA 300 mOhm Max Nonstandard |
| ESR (Equivalent Series Resistance): | ±5% |
| Średnica - ramię: | 25 @ 250MHz |
| Opis: | FIXED IND 22NH 400MA 300 MOHM |
| Czas zwłoki: | 250MHz |
| DC Resistance (DCR): | - |
| Aktualna ocena: | 400mA |
| Obecny - Nasycenie: | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 36501E22NJTDG
Latest Aktualności
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia