2SK596S-B jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SK596S-B, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SK596S-B przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SK596S-B z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SK596S-B
- Part Number:
- 2SK596S-B
- Producent:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Opis:
- JFET N-CH 1MA 100MW SPA
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 56353 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SK596S-B.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Odcięcie (VGS off) @ Id: | 500mV @ 1µA |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | 3-SPA |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Bulk |
| Package / Case: | SC-72 |
| temperatura robocza: | 150°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Through Hole |
| Poziom czułości na wilgoć (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds: | 4.1pF @ 5V |
| Rodzaj FET: | N-Channel |
| szczegółowy opis: | JFET N-Channel 1mA 100mW Through Hole 3-SPA |
| Pobór prądu (Id) - Max: | 1mA |
| Obecny - spustowy (IDS) @ Vds (Vgs = 0): | 150µA @ 5V |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SK596S-B
Latest Aktualności
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM
- Microchip umożliwia zdolność produkcyjną TSMC i podnosi podwyżki cen