2SD315AI-33 jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SD315AI-33, mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SD315AI-33 przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SD315AI-33 z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SD315AI-33
- Part Number:
- 2SD315AI-33
- Producent:
- Power Integrations
- Opis:
- IGBT DVR CORE 3300V
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 24999 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 1.2SD315AI-33.pdf2.2SD315AI-33.pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - Dostawa: | 15V |
| Seria: | SCALE™-1 |
| Czas narastania / spadku (typ): | - |
| temperatura robocza: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Częstotliwość wejściowa: | 2 |
| Standardowy czas oczekiwania producenta: | 16 Weeks |
| Napięcie logiczne - VIL, VIH: | - |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Typ wejścia: | - |
| Typ bramy: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Konfiguracja napędzana: | Half-Bridge |
| szczegółowy opis: | Half-Bridge Gate Driver IC |
| Prąd - szczytowe wyjście (źródło, zlewozmywak): | 18A, 18A |
| Baza-emiter Napięcie nasycenia (Max): | - |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SD315AI-33
Latest Aktualności
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Raport finansowy w pierwszym kwartale SEF półprzewodnikowy (ST) maleje, a popyt na samochody zwolnił
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash
- Lokalna dojrzała objętość wiórów, Samsung Nand Flash Memory Pojemność produkcyjna w pobliżu obciążenia
- Vishay wprowadza miniledowane opakowanie o wysokiej jasności małą niebieską i czystą zieloną diodę LED
- Ansonmei uruchomił indukcyjny czujnik pozycji dla rynku przemysłowego i transportowego
- Ruisa rozpoczyna starą fabrykę w celu zwiększenia urządzenia mocy, trzęsienie ziemi wpływa na łagodne wyjście DRAM