2SC4215-O(TE85L,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SC4215-O(TE85L,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SC4215-O(TE85L,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SC4215-O(TE85L,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SC4215-O(TE85L,F)
- Part Number:
- 2SC4215-O(TE85L,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- RF TRANS NPN 30V 20MA SC70
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 57605 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SC4215-O(TE85L,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 30V |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | USM |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-70, SOT-323 |
| Inne nazwy: | 2SC4215-O(TE85LF)TR |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Noise Figure (dB Typ @ f): | 5dB @ 100MHz |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Zdobyć: | 23dB |
| Częstotliwość - Transition: | 550MHz |
| szczegółowy opis: | RF Transistor NPN 30V 20mA 550MHz 100mW Surface Mount USM |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 40 @ 1mA, 6V |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 20mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SC4215-O(TE85L,F)
Latest Aktualności
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny
- Ogłoszono raport finansowy NXP i Ansonmei, a cena cen miedzi jest przekazywana do branży IC
- Moels Micro Electronics założył nowe biura na Tajwanie w Chinach, aby rozszerzyć terytorium biznesowe
- Wydajność Instrumentów Texas ma być jeszcze do zwiększenia, a dwie fabryki pamięci masowej pchają nowe produkty pamięci flash