2SC4213-A(TE85L,F) jest teraz dostępny!Technologia LYNTEAM jest dystrybutorem pończoch dla 2SC4213-A(TE85L,F), mamy zapasy do natychmiastowej wysyłki, a także dostępne przez długi czas dostaw.Prześlij nam swój plan zakupu dla 2SC4213-A(TE85L,F) przez e-mail, damy Ci najlepszą cenę zgodnie z planem.
Kup 2SC4213-A(TE85L,F) z LYNTEAM, zaoszczędź pieniądze i czas.
Nasz e-mail: [email protected]
2SC4213-A(TE85L,F)
- Part Number:
- 2SC4213-A(TE85L,F)
- Producent:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Opis:
- TRANS NPN 20V 300MA SC70
- Status bezołowiowy:
- Bezołowiowa / zgodna z RoHS
- Wielkość zbiorów:
- 58931 Pieces
- Czas dostawy:
- 1-2 days
- Czas oczekiwania:
- 4-8 weeks
- Arkusz danych:
- 2SC4213-A(TE85L,F).pdf
Wprowadzenie
Specyfikacje
| Stan | New & Original, tested |
|---|---|
| Kraj pochodzenia | Contact us |
| Oznaczenie kodu | Send by email |
| Napięcie - kolektor emiter (Max): | 20V |
| Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC: | 100mV @ 3mA, 30A |
| Typ tranzystora: | NPN |
| Dostawca urządzeń Pakiet: | USM |
| Seria: | - |
| Moc - Max: | 100mW |
| Opakowania: | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case: | SC-70, SOT-323 |
| Inne nazwy: | 2SC4213-A(TE85LF)TR |
| temperatura robocza: | 125°C (TJ) |
| Rodzaj mocowania: | Surface Mount |
| Status bezołowiowy / status RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| Częstotliwość - Transition: | 30MHz |
| szczegółowy opis: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 300mA 30MHz 100mW Surface Mount USM |
| DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 4mA, 2V |
| Obecny - Collector odcięcia (Max): | 100nA (ICBO) |
| Obecny - Collector (Ic) (maks): | 300mA |
| Email: | [email protected] |
Podobne zamienne do 2SC4213-A(TE85L,F)
Latest Aktualności
- Ramię pojawiło się w Computex 2024: Oczekuje się, że do końca 2025 r. Można użyć ponad 100 miliardów urządzeń ramionowych
- Qorvo uruchomił wybitne preliminary MmiMo w branży 5G
- Wymaganie inwentaryzacji cyklu symulacji, ai napędza zapotrzebowanie na pamięć flash trwa
- Plan Microna o zbudowaniu fabryki, NAND Flash Memory po wysokich cenach lub konserwacji
- Wydajność ADI jest zmniejszona, podłoża folii miedzianej wzrosły, przechowywanie oryginalnego fabrycznego wzrostu produkcyjnego konserwatywnego
- Fala inteligencji w samochodzie nadchodzi, a Aimus Oslang pomógł Sagita Juguang uwolnić MX Lidar
- Pojemność produkcyjna HBM jest wykluczona, pamięć DRAM może być krótkotrwała w drugiej połowie roku
- Założyciele Wall zakończą się, HBM lub spowodują, że DRAM znów powstanie
- Zapotrzebowanie na telefon komórkowy i komputery PC, globalna poprawa branży produkcji półprzewodników
- Zrozum potrzeby ADA i systemów monitorowania kabiny dla czujników obrazu bezpieczeństwa sieci
- Mówi się, że Samsung i SK Hynix zatrzymali DDR3, a cytat promocyjny wzrósł o 20 %
- Melexis wydany MLX90427: Kontrola linii do nowego wyboru, bezpieczny, wydajny i ekonomiczny